İ Ç İ N D E K İ L E R

 

SAYFA

BÖLÜM – I

1            REZONANS DEVRELERİ ................................................................................................. I-1

1.1                   GİRİŞ................................................................................................................................... I-1

1.1.1      PASİF DEVRE ELEMANLARI........................................................................................... I-1

1.1.2             DİRENÇLİ AC DEVRE....................................................................................................... I-1

1.1.3             BOBİNLİ AC DEVRE......................................................................................................... I-2

1.1.4             KONDANSATÖRLÜ AC DEVRE...................................................................................... I-3

1.2                   SERİ (RLC) REZONANS DEVRESİ................................................................................... I-5

1.2.1             REZONANS DURUMU...................................................................................................... I-6

1.2.2             REZONANS ÜSTÜ ÇALIŞMA................................................................................... ...... I-8

1.2.3             REZONANS ALTI ÇALIŞMA............................................................................................ I-9

1.2.4             SERİ RLC DEVRESİ BAND GENİŞLİĞİ........................................................................... I-11

1.2.5             SERİ (RLC) REZONANS DEVRESİ ÖZELLİKLERİ......................................................... I-16

1.3                   PARALEL REZONANS DEVRESİ..................................................................................... I-18

1.3.1             REZONANS DURUMU...................................................................................................... I-19

1.3.2             REZONANS ÜSTÜ ÇALIŞMA DURUMU........................................................................ I-20

1.3.3             REZONANS ALTI ÇALIŞMA DURUMU.......................................................................... I-21

 

BÖLÜM – II

 

2                         DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER......................................................................................... II-1

2.1                   GİRİŞ................................................................................................................................... II-1

2.1.1             RC ZAMAN SABİTESİ....................................................................................................... II-2

2.1.2             KONDANSATÖRÜN ŞARJ OLMA HIZI.......................................................................... II-4

2.1.3             RL DEVRESİ ZAMAN SABİTESİ ..................................................................................... II-8

2.1.4             ZAMAN SABİTELERİNİN SINIFLANDIRILMASI ......................................................... II-12

2.1.5             DALGA ŞEKİLLENDİRME İŞLEMİ ................................................................................. II-13

2.1.6             TÜREV ALICI DEVRELER ................................................................................................ II-14

2.1.7      İNTEGRAL ALICI DEVRELER ......................................................................................... II-15

 

BÖLÜM – III

 

3                         YARI İLETKEN ESASLARI............................................................................................... III-1

3.1                   GİRİŞ .................................................................................................................................. III-1

3.1.1             İLETKEN, YALITKAN VE YARIİLETKENLER .............................................................. III-1

3.1.2             SİLİSYUMUN KRİSTAL YAPISI .............................................................................. ...... III-4

3.1.3             SAF SİLİSYUMUN İLETKENLİĞİNİN ARTTIRILMASI ................................................ III-6

3.1.4             N TİPİ YARIİLETKENİN OLUŞUMU .............................................................................. III-7

3.1.5             P TİPİ YARIİLETKENİN OLUŞUMU ............................................................................... III-8

3.1.6             N TİPİ YARIİLETKENDE AKIM YÖNÜ VE ELEKTRON HAREKETİ .......................... III-10

3.1.7             P TİPİ YARIİLETKENDE AKIM YÖNÜ VE OYUK HAREKETİ .................................... III-11

3.1.8             P-N YÜZEY BİRLEŞMESİ VE KRİSTAL DİYODUN OLUŞUMU ................................. III-12

3.1.9             KRİSTAL DİYODUN DÜZ KUTUPLANMASI ( DÜZ POLARMA ) ............................... III-13

3.1.10         KRİSTAL DİYODUN TERS KUTUPLANMASI ( TERS POLARMA ) ............................ III-14

3.2.1             KRİSTAL DİYODUN KARAKTERİSTİKLERİ ................................................................ III-15

3.2.2             DİYOD KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI İÇİN GEREKLİ DEVRE . III-18

3.2.3             ZENER DİYOD .................................................................................................................. III-21

 

BÖLÜM – IV

4                         YARIİLETKEN GÜÇ KAYNAKLARI............................................................................... IV-1

4.1                   GİRİŞ .................................................................................................................................. IV-1

4.1.1             YARIİLETKEN GÜÇ KAYNAĞI PRENSİPLERİ ............................................................. IV-1

4.1.2             YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ ..................................................................................... IV-3

4.1.3             TAM DALGA DOĞRULTMAÇ ......................................................................................... IV-7

4.1.4             KÖPRÜ TİPİ DOĞRULTMAÇ........................................................................................... IV-10

4.2                   FİLTRE DEVRELERİ ......................................................................................................... IV-11

4.2.1             L TİPİ FİLTRE DEVRESİ ................................................................................................... IV-11

4.2.2             p TİPİ FİLTRE DEVRESİ ................................................................................................... IV-12

4.3                   DİYOD DEVRELERİ .......................................................................................................... IV-13

4.3.1             GERİLİM LİMİTLEYİCİ DEVRELERİ .............................................................................. IV-13

4.4                   GERİLİM ÇOĞALTICI DEVRELERİ ................................................................................ IV-15

4.4.1             GERİLİM İKİLEYİCİ DEVRESİ ........................................................................................ IV-15

4.4.2             GERİLİM ÜÇLEYİCİ DEVRESİ ........................................................................................ IV-16

4.4.3             KIRPICI VE KENETLEYİCİ DEVRELER ......................................................................... IV-17

4.4.3.1       BASİT KIRPICI DEVRELER ............................................................................................. IV-17

4.4.3.2       BASİT KENETLEYİCİ DEVRELER .................................................................................. IV-18

4.5         ZENER DİYODLA YAPILAN REGÜLATÖRLER ............................................................ IV-18

BÖLÜM – V

 

5                         TRANSİSTÖRLER.............................................................................................................. V-1

5.1                   GİRİŞ .................................................................................................................................. V-1

5.1.1             PNP TİPİ YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER ....................................................... V-1

5.1.2             NPN TİPİ YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER ....................................................... V-5

6                         NPN TİPİ TRANSİSTÖRDE BEYZ AKIMIYLA KOLLEKTÖR AKIMININ

              KONTROL EDİLMESİ ...................................................................................................... V-6

6.1                   TRANSİSTÖR SEMBOLLERİ ........................................................................................... V-7

6.2                   TRANSİSTÖR BAYASLAMALARI .................................................................................. V-7

6.2.1             PNP TİPİ TRANSİSTÖRÜN DÜZ BAYASLANMASI ..................................................... V-8

6.2.2             PNP TİPİ TRANSİSTÖRÜN TERS BAYASLANMASI .................................................... V-9

6.2.3             NPN TİPİ TRANSİSTÖRÜN DÜZ BAYASLANMASI .................................................... V-10

6.2.4             NPN TİPİ TRANSİSTÖRÜN TERS BAYASLANMASI ................................................... V-11

 

BÖLÜM – VI

 

7                         TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER................................................................................. VI-1

7.1                   GİRİŞ .................................................................................................................................. VI-1

7.1.1             TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER ................................................................................ VI-2

7.1.2             TRANSİSTÖRÜN I.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............... VI-2

7.1.3             TRANSİSTÖRÜN II.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI .............. VI-4

7.1.4             TRANSİSTÖRÜN III.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............. VI-5

7.1.5             TRANSİSTÖRÜN IV.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............ VI-6

7.2                   I.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ ÜZERİNDEN TRANSİSTÖRÜN

   ÇIKIŞ EMPEDAMSI, b AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YÜK

              DOĞRUSUNUN ÇİZİLMESİ ............................................................................................ VI-6

7.2.1             TRANSİSTÖRÜN ÇIKIŞ EMPEDANSININ BULUNMASI ............................................ VI-7

7.2.2             TRANSİSTÖRÜN ( b ) AKIM KAZANCININ BULUNMASI ......................................... VI-8

7.2.3             YÜK DOĞRUSUNUN ÇİZİLMESİ ................................................................................... VI-9

6.3                   TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERİN ÇALIŞMA SINIFLARI ...................................... VI-10

6.3.1             A SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-11

6.3.2             AB SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ .................... VI-13

6.3.3             B SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-15

6.3.4             C SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-16

6.4                   TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERİN BAĞLANTI

............. ŞEKİLLERİNE GÖRE ANALİZİ ....................................................................................... VI-18

6.4.1             EMİTERİ MÜŞTEREK DEVRE ANALİZİ ......................................................................... VI-19

6.4.2             BEYZİ MÜŞTEREK DEVRE ANALİZİ ............................................................................. VI-25

6.5                   GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNE GİRİŞ .................................................................................... VI-31

6.6                   DENGELİ GÜÇ YÜKSELTECİ ......................................................................................... VI-31

6.7                   FAZ BÖLÜCÜLER ............................................................................................................. VI-33

6.8                   TÜMLER SİMETRİ GÜÇ YÜKSELTECİ .......................................................................... VI-34

6.9                   BEYZİ ORTAK KARIŞIK BAĞLI YÜKSELTEÇLER ...................................................... VI-35

6.10               AMPLİFİKATÖRLERDE KUPLAJ METODLARI ............................................................ VI-37

6.10.1         TRANSFORMATÖR KUPLAJI ......................................................................................... VI-37

6.10.2         RC KUPLAJI ...................................................................................................................... VI-39

6.10.3         DİREKT KUPLAJ .............................................................................................................. VI-40

6.10.4         EMPEDANS KUPLAJI ...................................................................................................... VI-41

 

BÖLÜM – VII

 

7                         ÖZEL YARI İLETKENLER................................................................................................. VII-1

7.1                   GİRİŞ .................................................................................................................................. VII-1

7.1.1             ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER ................................................................................................................ VII-1

7.1.2             JFET’İN ÇALIŞMASI ........................................................................................................ VII-2

7.1.3             JFET PARAMETRELERİ ................................................................................................... VII-4

7.1.4             MOSFET’LER .................................................................................................................... VII-6

7.1.5             MOSFET’İN ÇALIŞMASI ................................................................................................. VII-7

7.1.6             MOSFET’İN KARAKTERİSTİKLERİ ............................................................................... VII-9

7.1.7             JFET’LE YAPILAN YÜKSELTEÇ DEVRE ....................................................................... VII-11

7.1.8             MOSFET’LE YAPILAN YÜKSELTEÇ DEVRE ................................................................ VII-12

7.1.9             UNI JUNKTION TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA PRENSİBİ ............................................. VII-12

7.1.10         UJT İLE YAPILAN RELAKSASYON ( RELAXTION ) OSİLATÖRÜ ............................ VII-15

7.1.11         SİLİKON KONTROLLÜ DOĞRULTMAÇ ....................................................................... VII-15

7.1.12         TRANSİSTÖRLE YAPILAN GERİLİM KONTROL DEVRESİ ........................................ VII-17

7.1.13         TRİYAK VE UYGULAMALARI ....................................................................................... VII-18

 

BÖLÜM – VIII

 

8                         ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER.............................................................................................. VIII-1

8.1                   DAR BAND YÜKSELTECİ ............................................................................................... VIII-1

8.2                   GENİŞ BAND YÜKSELTEÇLERİ ..................................................................................... VIII-2

8.2.1             KARE DALGA KARAKTERİSTİĞİ .................................................................................. VIII-3

8.3                   GENİŞ BAND YÜKSELTECİNİN ÇALIŞMA PRENSİBİ ................................................ VIII-4

8.4                   DİFERANSİYEL YÜKSELTEÇLER .................................................................................. VIII-5

8.5                   İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLERE GİRİŞ .............................................................................. VIII-6

8.6                   İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ........................................................................................... VIII-6

8.7                   OP-AMP’IN KULLANILDIĞI YERLER ........................................................................... VIII-9

8.7.1             OP-AMP’IN FAZ ÇEVİREN YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ...................... VIII-9

8.7.2             OP-AMP’IN FAZ ÇEVİRMEYEN YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI .............. VIII-10

8.7.3             OP-AMP’IN GERİLİM İZLEYİCİ OLARAK KULLANILMASI ...................................... VIII-12

8.7.4             OP-AMP’IN TOPLAR YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ................................ VIII-13

8.7.5             OP-AMP’IN FARK YÜKSELTECİ OLARAK KULLANILMASI ................................... VIII-15

8.7.6             OP-AMP’IN KARŞILAŞTIRICI OLARAK KULLANILMASI ........................................ VIII-19

8.7.7             OP-AMP’IN İNTEGRAL ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI ........................... VIII-21

8.7.8             OP-AMP’IN TÜREV ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI ................................. VIII-23

8.7.9             OPAMPIN LOGARİTMİK YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ......................... VIII-25

8.7.10         OP-AMP’IN YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ OLARAK KULLANILMASI ............... VIII-27

8.7.11         OP-AMP’IN TAM DALGA DOĞRULTMAÇ OLARAK KULLANILMASI .................... VIII-29

8.7.12         OP-AMP’IN GERİLİM KONTROLLÜ OSİLATÖR OLARAK KULLANILMASI .......... VIII-30

8.7.13         OP-AMP’IN ALÇAK GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI .......................... VIII-31

8.7.14         OP-AMP’IN YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI ....................... VIII-33

8.7.15         OP-AMP’IN BAND GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI ............................ VIII-35

8.8                   OP-AMP PARAMETRELERİ ............................................................................................ VIII-37

 

BÖLÜM – IX

 

9                         DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ...................................................................... IX-1

9.1                   DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİNE GİRİŞ ..................................................... IX-1

9.2                   DALGA ÜRETEÇLERİNİN SINIFLANDIRILMASI ......................................................... IX-1

9.3                   OSİLASYON İÇİN GEREKLİ ŞARTLAR ......................................................................... IX-2

9.4                   SİNÜSOİDAL DALGA ÜRETEÇLERİ .............................................................................. IX-3

9.5                   KRİSTALLER ..................................................................................................................... IX-4

9.5.1             KRİSTALİN YAPISI VE ÇALIŞMASI .............................................................................. IX-4

9.6                   KARE DALGA ÜRETEÇLERİ VE DEVRE ÇEŞİTLERİ .................................................... IX-5

9.6.1             KARARSIZ ( ASTABLE ) MULTİVİBRATOR .................................................................. IX-5

9.6.2             TEK KARARLI ( MONOSTABLE ) MULTİVİBRATOR .................................................. IX-7

9.6.3             ÇİFT KARARLI ( BISTABLE ) MULTİVİBRATOR ......................................................... IX-8

 

BÖLÜM – X

 

10                     OSİLATÖRLER................................................................................................................... X-1

10.1               OSİLATÖRE GİRİŞ ........................................................................................................... X-1

10.2               OSİLATÖR ÇEŞİTLERİ ..................................................................................................... X-4

10.2.1         TRANSİSTÖRLÜ FAZ KAYMALI  R-C  OSİLATÖRÜ ................................................... X-4

10.2.2         OP-AMP’LI FAZ KAYMALI  R-C  OSİLATÖRÜ ............................................................ X-5

10.2.3         ARMSTRONG OSİLATÖR ............................................................................................... X-7

10.2.4         SERİ BESLEMELİ HARTLEY OSİLATÖRÜ .................................................................... X-8

10.2.5         PARALEL BESLEMELİ HARTLEY OSİLATÖRÜ ............................................................ X-9

10.2.6         TRANSİSTÖRLÜ COLPITS OSİLATÖRÜ ....................................................................... X-10

10.2.7         OP-AMP’LI COLPITS OSİLATÖRÜ ................................................................................ X-12

10.2.8         VOLTAJ KONTROLLÜ OSİLATÖR ................................................................................ X-13

10.2.9         KRİSTAL KONTROLLÜ OSİLATÖRLER ....................................................................... X-14

10.2.10     TRANSİSTÖRLÜ TESTERE DİŞİ JENERATÖRÜ ............................................................ X-16